薄膜製程技術關卡突破 Oxide TFT穩居基板技術主流 - 學技術 - 新電子科技雜誌 如同a-Si TFT的BCE結構，除可縮減光罩數之外，並對縮小元件設計準則(Design Rule)有相當大的幫助，因此製作BCE結構的Oxide TFT已成為面板廠積極尋求解決之瓶頸。索尼同時也發表9.9吋qFHD軟性主動式有機發光顯示器，其採用CHP元件結構的InGaZnO TFT與 ...
軟性觸控與透明導電薄膜技術講座 貢振邦 現任工研院顯示中心專案經理，目前負責顯示器互動技術研發工作，專長為薄膜電晶體電性分析、薄膜電晶體電路設計與畫素設計、光電感測元件設計、影像感測器畫素設計與影像處理技術、Mixed Mode 積體電路設計、SoC晶片系統設計等，具有17年的 ...
軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究| eTop 本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究.
美國 IBM 公司於日前正式宣佈，已經發展出一種新的半導體製程技術，此技術可以用來製作下一世代的積體電路 ... 晶圓鍵合技術及其應用 李天錫 林澤勝 彭成鑑 呂冠良 潘信宏 工業材料研究所 工業技術研究院 新竹 台灣 晶圓鍵合技術 (Wafer Bonding Technology) 是利用兩片表面具平滑鏡面、平坦，可互為相同或相異材質、單晶或是多晶形態之晶圓材料的表面原子間之鍵合力 ...
全透明氧化鋅薄膜電晶體之研究 - 成功大學電子學位論文服務 系統識別號, U0026-0812200915372244. 論文名稱(中文), 全透明氧化鋅薄膜電晶體之研究. 論文名稱(英文), Studies of ZnO-Based Transparent Thin-Film ...
含有氧化鋅緩衝層之氧化鋅透明薄膜電晶體特性研究 - 成功 ... 而在薄膜電晶體元件電特性研究發現，氧化鋅透明薄膜電晶體之場效載子移動率與電流開關比會因為增加氧化鋅緩衝層而得到改善，起因於增加氧化鋅緩衝層使得含 ...
透明薄膜電晶體 - 成功大學電子學位論文服務 選取, 序號, 研究生, 論文名稱/ 校院名稱/ 系所名稱/ 學年度/ 學位類別/ 頁數. 1, 張惟昭, 玻璃基板上成長高性能雙層通道銦鎵鋅氧化物透明薄膜電晶體特性之研究
氧化鋅透明薄膜電晶體之特性研究 - 成功大學電子學位論文服務 論文名稱(中文), 氧化鋅透明薄膜電晶體之特性研究. 論文名稱(英文), The properties research of ZnO based Transparent Thin-Film Transistors. 校院名稱, 成功大學.
材料世界網:淺談透明氧化物薄膜電晶體技術及應用 2010年3月23日 - 近年來，透明氧化物半導體薄膜電晶體相較於傳統的非晶矽薄膜半導體電晶體或低溫多晶矽薄膜半導體電晶體已引起相當大的注意，主要是因為它 ...
Flexible, transparent thin film transistors raise hopes for flexible ... The electronics world has been dreaming for half a century of the day you can roll a TV up in a tube. But scientists got one step closer last month when ...
