半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
半导体- 维基百科，自由的百科全书 在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米能 .... 圖中也有費米能階，半導體的本征費米能階（Intrinsic Fermi level）通常以 E_i ...
費米能階- 维基百科，自由的百科全书 費米能階（英语：Fermi level），通常標示為「µ 」或「EF」。 定義[编辑]. 絕對零度下，電子能夠填到最高的那一個能階便是費米能階。 用费米–狄拉克统计，就是無論任何 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 上升，在靠近接面處，原本平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。 而其間的能量差異為eV，如圖3-5(b)所示，這使得在靠近接面處的內建電場變小為V0-V，同時也使得空乏區的寬度變窄。
直接能隙 類氫原子的能階分離成1s， 2s2p，3s3p3d等，而細部的能階分離需要用到更複雜 .... 準費米能階的示意圖如圖2-31，可知在熱平衡的條件之下圖2-31中只有一條費米能 ...
與異質接面 同質接面是指二個相同的材料，其能隙大小相同，但摻雜的雜質不同，一為n型 ... 平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。
半導體元件-接面 - iPortfolio-TKB 首頁 當一個功函數qψm的金屬與功函數qψs 的半導體接觸將會發生電 荷轉換直到費米能階成一直線為止 (圖5-40)。例如，當ψm>ψs時，在 接觸以前半導體的費米能階剛開始時高於金屬的費米能階。但為了使兩者 ...
費米能階 費米機率分佈方程式 該方程式中 m 為所謂的化學位能（ chemical potential ），該化學位能將隨著溫度變化而有所變化，而 e=m(T) 稱之為費米能階，在一般半導體物理的教科書都以 e F 來表示之。在此處讀者必須要很小心的辨認當絕對溫度為零時 m(0) 稱之為 ...
第六章 - 李明憲老師教學網站 最高電子佔據態的能量 e F 稱為費米能量，或費米能階，如 (6.31) 所定義。 ... (6.32)。 能量態密度 D(e) 具有重要的物理意涵，尤其是它在費米能階的值 D(e F) 最為重要，幾乎所有電子的傳輸性質都與 D ...
