費米能階 - 維基百科，自由的百科全書 費米能階 （ 英語 ： Fermi level ），通常標示為「 µ 」或「 E F 」 。
蕭基接觸的barrier high - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo 如圖 一個理想的位障高(barrier height)可以表示為： qψBn=qψm-qχ 其中: ψm ：為金屬功函數，其定義為電子從費米能階跳到真空能 階所需要的能量 χ ：為半導體之電子親和力(electron affinity) ，也就是傳導帶 邊界與真空階之位能差 q ：為電子 ...
功函數差（Work function difference ） 整理可得：. 定義為功函數差ms. 功函數差ms（續）. 以p+複晶矽（假設EF=Ev）為閘極：. p型基板的功函數差.
費爾米能階(Fermi Level)是甚麼? - Yahoo!奇摩知識+ 2010年8月11日 - 在熱平衡的情況下，能帶隙中間有一能量形成障礙，使得電子與電洞不能逾越能帶隙而維持在平衡狀態，此維持平衡的能量稱為費米能級(Fermi Level).
費米能 - 維基百科，自由的百科全書 在固體物理學中，一個由無交互作用的費米子組成的系統的費米能（）表示在該系統中加入一個粒子引起的基態能量的最小可能增量。費米能亦可等價定義為在絕對零度時，處於基態的費米子系統的化學勢，或上述系統中處於基態的單個費米子的最高能量 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 上升，在靠近接面處，原本平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。 而其間的能量差異為eV，如圖3-5(b)所示，這使得在靠近接面處的內建電場變小為V0-V，同時也使得空乏區的寬度變窄。
费米能- 维基百科，自由的百科全书 费米能亦可等价定义为在绝对零度时，处于基态的费米子系统的化学势，或上述系统中处于基态的单个费米子的最高能量。费米能是凝聚态物理学的核心概念之一。
半導體元件-接面 - iPortfolio-TKB 首頁 當一個功函數qψm的金屬與功函數qψs 的半導體接觸將會發生電 荷轉換直到費米能階成一直線為止 (圖5-40)。例如，當ψm>ψs時，在 接觸以前半導體的費米能階剛開始時高於金屬的費米能階。但為了使兩者 ...
半導體 ... 滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆疊錯誤（stacking fault ...
金屬半導體與半導體異質接面 金屬半導體接面：可分為有整流作用的蕭特基位障（Schottky barrier）以及非整流特性的歐姆接 .... 結果：蕭特基接面二極體的飽和電流Js要大得多，起使電壓也較大。
