半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
半導體-中文百科在線 常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆棧錯誤（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱爲裘可 ...
半導體的發展與應用 - 中研院物理研究所 先複習一次原子結構. 銅的能帶結構. 想像電子在倒置空間中的能量分佈. Page 6. 半導體的定義？ • 能隙(band gap) 的大小是否有清楚定義？ • 費米能階Fermi level ...
半导体- 维基百科，自由的百科全书 在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米 能 .... 圖中也有費米能階，半導體的本征費米能階（Intrinsic Fermi level）通常以 E_i ...
10104載子的傳輸特性 - 國立聯合大學 定義載子移動率為與其漂移速度成正比 .... 高程度注入(High Level injection)狀況 ..... 能階(Quasi-Fermi levels) 之來源. 及定義。 ○ 穩態時，準費米能階Fn 和Fp的角.
費米能 - 維基百科，自由的百科全書 在固體物理學中，一個由無交互作用的費米子組成的系統的費米能（）表示在該系統中加入一個粒子引起的基態能量的最小可能增量。費米能亦可等價定義為在絕對零度時，處於基態的費米子系統的化學勢，或上述系統中處於基態的單個費米子的最高能量 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之
直接能隙 類氫原子的能階分離成1s， 2s2p，3s3p3d等，而細部的能階分離需要用到更複雜 .... 準費米能階的示意圖如圖2-31，可知在熱平衡的條件之下圖2-31中只有一條費米能 ...
與異質接面 同質接面是指二個相同的材料，其能隙大小相同，但摻雜的雜質不同，一為n型 ... 平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。
半導體 ... 滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆疊錯誤（stacking fault ...
