應用六標準差手法於 TFT-LCD 之ODF 製程改善研究 中華民國品質學會第42屆年會暨第12屆全國品質管理研討會 4 圖3. 研究流程 3. 個案分析 本研究之主要目的在於提升Cell 製程中之ODF 製程能力，圖4 為Cell 製造流 程圖，其中虛線框圈起來部分為ODF 製程。在Cell 製程中，首先將前段已製作完
薄膜電晶體- 维基百科，自由的百科全书 薄膜電晶體（英语：Thin-Film Transistor，缩写：TFT）是場效應電晶體的種類之一， 大略的製作方式是在基板上沉積各種不同 ...
TFT 製程 何謂TFT; 薄膜電晶體歷史; TFT結構圖; 低溫多晶矽TFT LCD之優勢; TFT-LCD面板 製程; TFT製造流程概述; TFT的循環製程 ...
[LTPS TFT 前瞻技術] 低溫多晶矽薄膜電晶體的變動特性及其在OLED畫素驅動電路的影響 - 《化合物半導體·光電 ... 近年來由於對顯示系統的解析度與耗電量的要求逐漸提高，低溫多晶矽薄膜電晶體( Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors, LTPS TFTs )被視為未來可能成為下一世代的 ...
有機薄膜電晶體概論 在彩色液晶平面顯示器之中，利用非晶質矽薄膜電晶體(α-Si TFT)作為驅動元件 ... 目的，過去十年以來，薄膜電晶體的材料都以無機材料為主，主要原因就是有機.
材料與製程挑戰有解 可撓式AMOLED商用可期 - 學技術 - 新電子科技雜誌 可撓式AMOLED面板量產挑戰已逐步獲得解決。近期各大顯示器製造商已陸續發布可撓式AMOLED面板原型，且在基板材料、TFT技術、封裝與製程技術等關鍵量產挑戰上，也已掌握可行的解決方向，可望加快可撓式AMOLED面板商用。 薄膜
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine 10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 高介電係數介電層與金屬閘極的製程選擇：閘極先製還是閘極後製 ... 10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。
薄膜電晶體液晶顯示器 - Tnu.edu.tw 前段的Array 製程與半導體製程相似，但不同的是將薄膜電晶體製作於玻璃上，而非 矽晶圓上。 TFT-LCD 中段製程- Cell.
高性能之低溫多晶矽薄膜電晶體及其應用 - 國家奈米元件實驗室 結合超薄氧化矽鉿（HfSiOx）及金屬閘極（TiN）之多晶矽薄膜電晶體，其次臨界擺幅可 達. 193 mV/dec，其製程溫度最高為700 ˚C，適合應用於單片式三維積體電路（ Monolithic 3D-IC）. 及Silicon-on-Glass（SOG） ...
