雙層石墨片可製作穿隧式場效電晶體 - 微奈米科技研究中心 根據義大利科學家的計算，雙層石墨片(bilayer graphene)可以用來製作積體電路中的穿遂式場效電晶體(tunneling field-effect transistor, TFET)。由於該元件在低電壓 ...
國立清華大學電子工程研究所 黃惠良(Huang, Huey-Liang) 教授 國立清華大學電機工程學系暨電子工程研究所 Professor , Department of Electrical Engineering & Institute of Electronic ... Brief CV: Huey-Liang Hwang received the B.S.E. and M.S.E. degree in Electrical Engineering from National ...
奈米通訊。第六卷第三期 12.超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測 超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測 林鴻志 國家奈米實驗室副研究員 摘要 當閘極氧化層(gate oxide)厚度小於4 nm後，傳統常用來偵測天線效應程度的電晶體參數，如臨界電壓(threshold voltage，Vth)、互導(transconductance，Gm)，及次臨界擺幅 ...
利用非對稱閘極之不同遮蔽長度來提升奈米線穿隧式電晶體效能 此論文以模擬方式，提出一種非對稱閘極的穿隧式電晶體(AG-TFET)，其源極是由包. 覆式閘極(Gate-all-around) 控制，而汲極是由平面式閘極所控制。由於包覆式閘極.
多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究 - 國立清華大學 Title: 多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究. Other Titles: Investigation of electrical characteristics for multi gate tunneling-carbon nanotube field effect ...
奈米元件(Nano Devices) - 國立交通大學電子工程系高中生專區 大約在2003年左右，電晶體尺度終於突破100奈米，進入奈米尺度的領域。 ... 未來奈米元件將繼續微縮，各種鰭式電晶體、量子穿隧電晶體、奈米碳管元件、石墨烯元件 ...
（110）基板上之P型穿隧式場效電晶體 - 國家奈米元件實驗室 1 國立台灣師範大學、2 國家奈米元件實驗室. 摘要. 將P型穿隧式場效電晶體（TFETs ）分別製作於（100）（110）方向矽基板之上並量測與研. 究其電性，利用High-k介電 ...
(a) (b) - 中文查詢介面 - 國立中央大學 子佈植形成PIN 結構，進而實作出奈米線穿隧式場效電晶體。因此於變溫的電流. - 電壓曲線、次臨限斜率-溫度曲線以及導通電流-溫度曲線進行電性分析。
半導體中的隧道效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在 半導體 ... 具高介電係數與二氧化矽閘極介電層推疊結構金氧半電晶體直接穿隧電流 之 ...
單電子電晶體－奈米科技的應用 - 國立暨南國際大學線上服務 自從1947年電晶體被發明以後，電晶體製作的技術便不斷的被改進，在幾. 十年間從 早期的 ... 應中的穿隧(tunneling)來控制並量測單一電子。單電子電晶體的特性是與 ...
