單電子電晶體的工作原理與應用 單電子電晶體的工作原理與應用-4-圖(六):單電子電晶體的基本電路圖 資料來源:胡淑芬()。奈米級金粒子型單電子電晶體研發現況。科學發展月刊第1期第29卷，p.29-36。檢索日期:2007/10/07。http://nr.stpi.org.tw/ejournal/NSCM/v29n1/Embag/29-36.pdf
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
原子世界 - 掃描穿隧顯微學 - 掃描穿隧顯微鏡的原理 動畫： 掃描穿隧顯微鏡的原理 動畫： 穿隧電流與空隙厚度的關係 圖 8 掃描穿隧顯微鏡結構的示意圖 ... 壓電晶體會隨著所受電壓的高低而產生非常微細的收縮或膨脹。這原理用於控制掃描尖端的水平位置 x ...
奈米通訊 目錄 - 國研院奈米元件實驗室 奈米通訊 NANO COMMUNICATIONS 目錄 1 編者的話 2 總編輯：劉致為 專文 3 應用於 鰭式場效電晶體精簡模型的物理特性 林崇勳、胡正明 7 矽光電在未來奈米電子系統之光連線應用 郭宇軒 12 次世代記憶體技術之分析與評估(Beyond the baseline memory)...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书 [编辑]. 金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進半導體製程與材料選擇 - Semicondutor Magazine 圖二：2007年Intel推出以High K Metal Gate的Penryn晶片(45nm)。 半導體的三國演義 值得注意的是，IBM不僅將移轉45nm的技術給晶圓代工的韓國三星(Samsung)及新加坡特許(Chartered Semiconductor)，更將技術賣給了中國的中芯。
MOSFET - 中華百科 - MOSFET介紹 MOSFET的操作 原理 MOSFET 的核心：金屬—氧化層—半導體電容 金屬—氧化層—半導體結構 MOSFET ...
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ...
奈米通訊。第七卷第一期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I) 林鴻志 國家奈米元件實驗室 研究員 前言 日進千里的積體電路技術造就電腦，通訊與網路業的蓬勃發展，而其進步的原動力，在於金氧半電晶體尺吋不斷地縮小，因為縮小的元件能改善切換速度與元件消耗功率 ...
英飛凌在IEDM展示新型穿隧式場效應電晶體 - 電子工程專輯. 2004年12月23日 - 日前在美國舊金山舉行的2004年IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，英飛凌科技(Infineon Technologies)的科學家宣讀了幾份論文，展示了他們的 ...
