半導體製程及原理 半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...
薄膜太陽能電池 說明：薄膜太陽電池可以使用在價格低廉的玻璃、塑膠、陶瓷、石墨，金屬片等不同材料當基板來製造，形成可產生電壓的薄膜厚度僅需數μm，因此在同一受光面積之下可較矽晶圓太陽能電池大幅減少原料的用量(厚度可低於矽晶圓太陽能電池90%以上 ...
清洗製程
聚光型太陽能電池 聚光型太陽能電池是[聚光型太陽能電池(Concentrator Photovoltaic)]+[高聚光鏡面菲涅爾透鏡(Fresnel Lenes)]+[太陽光追蹤器(Sun Tracker)]的組合，其太陽能能量轉換效率可達31%～40.7%，雖然轉換效率高但是由於向陽時間長，過去用於太空產業，現在搭配太陽光追蹤 ...
奇異股份有限公司 說明 PBC 1646 防卡潤滑油膏是一種金黃色2號油脂針入度的潤滑油膏 本產品不含任何皂基油脂或矽利康。PBC 1646 是一種礦物油基以金屬含成覆合方程式並加入聚合物，抗腐蝕添加劑及柔軟的非鐵金屬粉末製造而成。
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine 10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 高介電係數介電層與金屬閘極的製程選擇：閘極先製還是閘極後製 ... 10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。
Precision Silicon Corp.嘉晶電子股份有限公司-公司簡介 公 司 簡 介 嘉晶電子結合國內電子材料、磊晶製程及半導體設備等各方面具有多年經驗之技術團隊，於民國八十七年十一月九日在新竹科學工業園區成立嘉晶電子股份有限公司，成為國內專業磊晶矽晶圓廠。
LED晶圓(外延)的成長製程 - LEDinside 今天來探討LED晶圓的成長製程，早期在小積體電路時代，每一個6吋的晶圓上製作數以千計的晶粒，現在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的晶圓上也只能完成一兩百個大型晶片。晶圓的製造雖動輒投資數百億，但卻是所有電子工業的基礎。矽晶柱的長成 ...
局部與全面形變矽通道(strained Si channel) 互補式金氧半 ... 互補式金氧半(CMOS) 之材料、製程與元. 件特性分析(I). 一、前言. 近幾年，由元件尺度微縮以提升金氧半. 場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field.
