有機金屬化學氣相沉積法 - 維基百科，自由的百科全書 有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 ...
大尺寸磊晶技術突破GaN-on-Si基板破裂問題有解- 學技術- 新電子 ... 大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜 材料，以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術， ...
爭奪LED基板商機矽基GaN/藍寶石相互嗆聲- 懂市場- 新電子科技雜誌 矽基氮化鎵(GaN-on-Si)與藍寶石基板激戰趨向白熱化。矽基氮化鎵擁有低製造成本 優勢且效能已可匹敵藍寶石基板，因而吸引LED大廠競相投入量產，發展聲勢日益 ...
大尺寸晶圓量產卡關GaN-on-Si基板發展陷膠著- 懂市場- 新電子科技 ... 矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術發展添變數。囿於大尺寸GaN-on-Si晶圓製造良率 遲遲無法提升，不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額，或轉而投入技術門檻較低 ...
兼具低成本、散熱佳優勢矽基氮化鎵革新LED基板- 學技術- 新電子科技 ... 矽基氮化鎵(GaN-on-Si)可望成為LED產業新寵兒。由於藍寶石基板面臨技術瓶頸， LED業者正積極尋找新的基板材料；矽基氮化鎵可減少熱膨脹差異係數，不僅能 ...
技術情報：一種在矽基板上成長單晶氮化鎵之製程技術 - 國家實驗研究院 2005年8月22日 ... 技術描述： 本發明係一種在矽基板上成長氮化鎵之方法，其主要步驟包括：(a)提供欲 成長氮化鎵薄膜之矽基板；(b)除去上述矽基板表面的氧化層；(c)通 ...
4-04 論文封面(樣式) - 中文查詢介面 - 國立中央大學 由於氮化鎵材料與矽基板的晶格常數與熱膨脹係數差異甚大，為了避. 免氮化鎵材料 產生裂縫，本研究藉由低溫氮化鋁緩衝層及多孔氮化矽以釋. 放應力和減少缺陷密度 ...
TiPS - 德國Azzurro推廣大尺寸GaN-on-Si LED晶圓，訴求生產時間與 ... AZZURRO擁有獨家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術，他們的方式是先在矽基板 上長出以GaN材料為基礎的緩衝層(buffer layer)，然後可再依LED或功率半導體等 ...
AZZURRO成功實現150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si製造可顯著降低LED ... AZZURRO半導體成立於2003年，具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術 ，該技術源自德國Magdeburg大學，在2010年10月獲得包括Wellington ...
看衰低價矽基氮化鎵Cree重押SiC基板LED - 台灣區電機電子工業 ... 科銳(Cree)仍將視碳化矽(SiC)基板發光二極體(LED)為未來數年內產品發展主軸。 儘管矽基氮化鎵(GaN)聲勢看漲並已導入量產，且科銳亦已投入矽基氮化鎵技術 ...
