光電探測器,感應/偵測/感測器- 先鋒科技 光電探測器,感應/偵測/感測器 icon ... **InGaAs銦鎵砷 紅外線光電探測器系列光譜 響應範圍: 800nm~1700nm .... 分為傳輸型及反射型，傳輸型是由紅外的LED和光電 晶體以塑模封裝，安裝在兩邊，當接收 ...
材料世界網:微凸塊技術的多樣化結構與發展 凸塊技術在1995年代引進台灣，以濺鍍式凸塊技術而言，相對於打線鍵結的接點連結方式，其製程特色採用薄膜、黃光與蝕刻以形成層狀結構的球下金屬層(UBM)、與後續的錫合金凸塊形成製程(錫膏)或植球，而凸塊晶片則以搭配覆晶(Flip chip)製程為主。台灣 ...
發光二極體之原理 與其它二極體一樣，發光二極體中電流可以輕易地從P極（正極）流向N極（負極），而 相反方向則不能。而順向電流是由兩種 ...
LED （Light Emitting Diode）發光二極體 LED （Light Emitting Diode）發光二極體 一、簡介 LED 是一個具有二極體的電子特性且會發光的半導體元件，雖然它具有整流二 極體的功能，但它的應用是偏重於LED 的發光特性而非整流特性，它是一種由 半導體技術所製成的光源。
宜特科技 | 砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs) 砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，主要差異為二者的Detector不同(InGaAs-CCD 與Si-CCD)。 ... 原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased ...
認識檢光器> 2.矽質光二極體的元件結構. 此處討論平面擴散型PIN 光㆓極體. 如圖1-1 所示結構. 圖1-1. 以矽質N 型基材背部擴散N+層以達成歐姆接觸(Ohmic contact)，及在前部.
矽光電二極體感測器Silicon photodiode(High Speed) - 光電探測器 ... 矽光電二極體感測器silicon photodiode波長範圍:350nm-1100nm,高速矽光二極體 silicon photodiode採用小附應面積,是快速附應或高帶寬應用的最優器件。BPX-6.
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濾光片/透鏡lens/雷射護目鏡 - 先鋒科技 雷射護目眼鏡 CO2二氧化碳雷射 10600nm Nd:YAG - 雷射波長 1064 nm Alexandrite-亞歷山大雷射波長755nm Diode - 雷射波長 808-815 nm Diode - 雷射波長 980 nm DPL Nd:YAG 雷射波長 532nm, 1064 nm CO2 - 雷射波長 10,600 nm Eurbium YAG-雷射波長 ...
矽光電二極體感測器Silicon photodiode(High Speed) - 先鋒科技 高速矽光二極體silicon photodiode採用小附應面積，是快速附應或高帶寬應用的最 優器件。BPX-65採用工業標準，並豐富了 ...
