Quasi-fermi levels ... ，如偏壓或照光所產生的過量載子，此時電子與電洞必須採用虛擬的能階EFn和EFp，此即準費米能階(Quasi-fermi level)。 References ELEG620: Solar Electric Systems University of Delaware, ...
2.3.2 Quasi Fermi Energies 2.3.2 Quasi Fermi Energies. Definition of the Quasi Fermi Energy. So far we implicitly defined (thermal) ...
費米能 - 維基百科，自由的百科全書 在固體物理學中，一個由無交互作用的費米子組成的系統的費米能（）表示在該系統中加入一個粒子引起的基態能量的最小可能增量。費米能亦可等價定義為在絕對零度時，處於基態的費米子系統的化學勢，或上述系統中處於基態的單個費米子的最高能量 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之
何謂費米能階 (20 點) - Yahoo!奇摩知識+ 準費米能階, 費米能階 fermi level, 何謂費米能階, 費米能階函數, 本質費米能階, 費米能階公式, 費米能階圖, 費米能階物理意義 費米能階, 費米, chemical potential, 能階, 分佈函數, 半導體物理, 泰勒展開式, 形成, kBT, 機率分佈 [ 快速連結 ] 其它回答( 1 ) | ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 上升，在靠近接面處，原本平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。 而其間的能量差異為eV，如圖3-5(b)所示，這使得在靠近接面處的內建電場變小為V0-V，同時也使得空乏區的寬度變窄。
何謂基體效應?body effect - Yahoo!奇摩知識+ MOSFET電晶體的基體端(Body 或 Substrate)通常是與源極端(Source)等電位,也就是源極-基體接面(source-body junction)的電壓()為零,這時候是沒有基體效應的. 當我們在MOSFET電晶體的基體端加上偏壓Vbs,根據半導體物理的理論,基體端的準電子費米能階(Efn)會從 ...
5D92_半導體雷射導論 - 五南文化事業機構首頁 2.4 準費米能階 2.5 子傳輸行為 2.5.1 漂移電流 2.5.2 擴散電流 2.6 載子躍遷 2.6.1 載子產生與再結合 2.6.2 輻射再結合與非輻射再結合 2.6.3 內部量子效率與載子生命期 ...
摻氮磷化鎵之光學特性分析 ... 因而有效減輕電子溢流的程度。此外，增加p態的摻雜濃度將使得p層薄膜整體的能帶結構受準費米能階之影響而往上提升[11]，因而增加活性區與p態薄膜間之位能障，使得導電帶上的電子更不易穿越此一位能障而往p ...
第一章 - 郭艷光彰化師大物理系網頁 比較在三種極化電荷情形下，電子電洞填充能階的情況，圖3.3、3.4、3.5中的綠色虛線代表準費米能階(quasi-Fermi-level) ，導電帶準費米能階下的所有能階將被電子所填滿，而價電帶準費米能階以上的所有能階將被電洞填滿，愈多能階被電子或電洞填滿，代表 ...
