金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 行動版 - 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。
氮化矽、氮氧化矽、二氧化矽 | Sillitronics 氮化矽是一種介電常數較高（約為 7 左右）、硬度強、緻密的介電材料。 氮化矽的研磨速率比二氧化矽的研磨速率低，因此在淺溝槽絕緣形成的製程中，也被當作化學機械研磨的停止層。 氮氧化矽是一種新型的薄膜材料，具有優良的光電性能 ...
磁控濺渡氮氧化矽薄膜材料之機械性質檢測與分析及其在微 ... 氮氧化矽(SiOxNy)是由氧化矽(SiO2)及氮化矽(Si3N4)以不同比例混合而成的複合 ... 在彈性模數與硬度方面，熱退火溫度增加此兩性質會變大；在熱退火處理溫度 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 使用氧和氫氧原子 進行爐管批次氧化 - Semicondutor Magazine T. Qiu, C. Porter, M. Mogaard, J. Bailey, H. Chatham / Aviza Technology Inc., Scotts Valley, California 在大型批次反應器中，要獲得可接受的氧化成長率和薄膜均勻度，原子基的生命週期和駐留時間的平衡是一項關鍵。矽的氧化率與晶向有強烈地密切相關，當氧化 ...
Dr.簡 專欄-矽(Si)對植物生長有益的元素 新創事業處 簡道南 在以前的文章中已經介紹植物生長所不可或約的16種必須元素，包括碳、氫、氧，氮、磷、鉀、鈣、鎂、硫、鐵、銅、錳、鋅、鉬、硼和氯。植物缺乏當中的任一種元素，就會對植物的存活和生長有立即和明顯的影響。
氮氧化矽 - Sillitronics - WordPress.com 2007年9月13日 - 氮化矽是一種介電常數較高（約為7 左右）、硬度強、緻密的介電材料。 氮化矽的研磨速率比二氧化矽的研磨速率低，因此在淺溝槽絕緣形成的製程中， ...
2-1-2 光致發光原理 - eThesys 國立中山大學學位論文服務 有合理的界面缺陷密度，氮氧化矽的薄膜成為目前由SiO2 轉進到 high-k 材料的過渡 ... 本研究乃是利用光子激發光(PL)以及拉曼光譜來探討氮氧化矽材. 料內缺陷的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 目標針對45奈米具有改善之 ... Kevin Cunningham, Khaled Ahmed, Chris Olsen, Steve Hung, Schubert Chu, Faran Nouri, Applied Materials, Santa Clara, California 氮氧化矽(SiON)閘極 ...
下載 - 國立中央大學 論文名稱: 雷射輔助化學氣相沉積法成長氮氧化矽膜. 指導教授姓名： 李清庭. 系所： 光電科學研究所□博士□碩士班. 學號： 89226028. 日期：民國91 年7 月12 日.
