垂直型氧化鋅奈米線之奈米壓印特性研究 這些奈米結構在光、電、熱或是機械的特性上，都呈現出優越的表現，所以無論是現今的半導體 ... 一維奈米材料的種類繁多，目前最常被用來研究的有:奈米碳管 (carbon nanotubes)、氧化鋅 (ZnO)、氧化鈦 (TiO 2)以及氧化銦錫(ITO)等材料。 其中氧化鋅是近年來 ...
氧化鋅 - 維基百科 氧化鋅是鋅的氧化物，難溶於水，可溶於酸和強鹼。它是白色固體，故又稱鋅白。它能通過燃燒鋅或焙燒閃鋅礦（硫化鋅）取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要成分。雖然人造氧化鋅有兩種製造方法：由純鋅氧化或烘燒鋅礦石而成。氧化鋅作為 ...
氧化鋅-中文百科在線 由於其屬於場效應管，元件並不需要PN結，從而避免了氧化鋅難以制成P型半導體 的問題。 納米級别大小的氧化鋅棒狀顆粒被用於制造測定空氣成分的傳感器。空氣中的特定成分與傳感器上的各種納米材料接觸，並產生 ...
Zinc Oxide Semiconductor | Products & Suppliers on GlobalSpec Find Zinc Oxide Semiconductor related suppliers, manufacturers, products and specifications on GlobalSpec - a trusted source of Zinc Oxide Semiconductor information. ... Description: on today. Indium is extracted primarily from indium-bearing zinc or tin
半導體光譜實驗室(C02-516-1) - 國立高雄大學應用物理學系 以Sol-gel法製備ZnLiO的光學特性與ZnO的變激發強度螢光譜 ... 氧化鋅(ZnO)是目前已知的II-VI族半導體材料中在室溫中擁有寬能隙(3.37 eV)和相當大的激子束縛 ...
氧化鋅奈米粉末之製備與研究 - 大同大學 表2-3 一般半導體激發之臨界波長…………………………………..47. 表2-4 為N、P 形半導體的分類………………………………………48. 表2-5 奈米氧化鋅製備方法 ...
以3d過渡金屬摻雜氧化物之稀磁性半導體研究 ZnO是具有直接能隙的半導體（Eg=3.35eV），其室溫下的霍爾移動率(Hall mobility)約為200 cm2V-1s-1。結構是屬於六方晶系(wurzite)，其a軸長3.25Å，c軸長5.12 Å。
熱退火處理之鈷摻雜氧化鋅稀磁性半導體薄膜其電性、磁性與 ... 我們利用不同溫度的退火研究以離子束濺鍍成長之氧化鋅摻雜. 鈷稀磁性半導體 ... 釐清氧化鋅摻雜鈷稀磁性半導體的磁性來源時，除了檢測鈷的價數. 外，鈷周遭的局 ...
Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor - Abstract - Reports ... In the past ten years we have witnessed a revival of, and subsequent rapid expansion in, the research on zinc oxide (ZnO) as a semiconductor. Being initially ...
透明ITO導體與ZnO半導體薄膜之熱電勢研究__國立交通大學 ... 在今日透明導電薄膜已廣為被應用於生活中，其中ITO是常見的材料，因為ITO具有高導電率及高透光率的特性，從液晶螢幕面板、觸控式螢幕、太陽能電池電極、、、等， ...
