材料世界網 - 文章內容 薄膜電晶體的特性來自於良好的氧化物半導體材料特性，因此氧化物半導體薄膜為薄膜電晶體應用的基礎。氧化物板半導體膜具有透明導電與足夠高的電子遷移率，在大氣中的穩定性也較有機半導體為佳，配合可印製氧化物導電材料，全印製型的薄膜電晶體 ...
氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 - 崑山科技大學 氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)是一種金屬氧化物材料，為II-VI 族的n 型寬能隙半導體材料. ，熔點約1975 ... Ag的功函數是4.26 eV，且為化合物半導體中普遍應用之材料。
氧化鋅 - 中華百科 - 氧化鋅介紹 , 氧化鋅（ZnO），俗稱鋅白，是鋅的一種氧化物。難溶于水，可溶于酸和強堿。氧化鋅是一種常用的化學增加劑，廣泛地套用于塑膠、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料 ...
氧化鋅 - 維基百科，自由的百科全書 ^ 1.0 1.1 1.2 Takahashi, Kiyoshi; Yoshikawa, Akihiko; Sandhu, Adarsh. Wide bandgap semiconductors: fundamental properties and modern photonic and electronic devices. Springer. 2007. 357. ISBN 3-540-47234-7. ^ 2.0 2.1 Hernandezbattez, A; Gonzalez, R ...
氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 氧化鋅 薄膜於半導體元件之應用 計畫主持人 黃文昌 崑山科技大學光電工程系 ... Ag的 功函數是4.26 eV ...
低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體 鋅奈米柱陣列，接著利用半導體相關製程技術完成發光二極體(LED)元. 件。 ...... 製備 出之ZnO奈米線大約為10 nm，因此ZnO材料之量子侷限效應研. 究以奈米顆粒為主 ...
溶膠凝膠法製備ZnO-RuO2透明半導體薄膜之特性研究 - 遠東科技大學 為ZnO 的前驅液，利用溶膠凝膠法(sol-gel)配合旋轉塗佈法(spin coating)製備. ZnO- RuO2 複合薄膜，研究改變不同的製程參數，探討製程參數如何影響ZnO-.
氧化鋅- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 氧化鋅是鋅的氧化物，難溶於水，可溶於酸和強鹼。它是白色固體，故又稱鋅白。它能通過燃燒鋅或焙燒閃鋅礦（硫化鋅）取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要 ...
氧化鋅半導體材料 氧化鋅是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙寬禁帶化合物半導體材料，具有優異的光學和電學特性。室溫下其禁帶寬度為3.37eV，這一特性使它具備了室溫下短波長髮光的有利條件；由於它產生的發射波長比氮化鎵的更短，因此利用它可以進一步提高光資訊的 ...
主題：氧化鋅 | 醫源世界 ... 氧化鋅為基礎的納米材料的合成和應用研究。2001年，他們在《科學》雜志上報告首次合成氧化鋅半導體材料帶，這篇論文已被引用1100多次。之后，他們又研制出納米環、納米螺旋等器件。
