下載 - 國立中央大學 論文名稱: 佈植矽離子與佈植氮離子於氧化鋅膜之特性分析及氧化鋅. 膜與金屬的 歐姆 .... 片的功函數(work function)，研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由 ...
以紫外光增強氧化鋅奈米線場發射效能之探討 2011年4月1日 ... 使用脈衝雷射沉基法在矽基板上來合成C-axis 氧化鋅奈米錐，且其測量結果顯現了 高的 ... 場增加係數β在黑暗中是1700，氧化鋅的功函數是5.3eV。
氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 - 崑山科技大學 在第二部分中，以溶膠凝膠法及旋轉塗佈浸塗技術備製氧化鋅薄膜，再以真空蒸鍍. 法備製蕭特基二極 ... Ag的功函數是4.26 eV，且為化合物半導體中普遍應用之材料。
光電工程研究所碩士學位論文氧化鋅摻雜氧化銦對P 型氮化鎵歐姆接觸 ... 關鍵詞：氧化鋅摻雜氧化銦、射頻反應式磁控濺鍍法、p-GaN、特徵接觸電阻 ...... 具有 高的功函數；ITO功函數約4.6eV，而ZIO在In2O3:ZnO=90:10的比例之下，. 功函數 ...
金屬與氧化鋅薄膜接觸特性研究 氧化鋅（zinc oxide; ZnO）材料為一種多用途材料，具有光電 ... 型氧化鋅薄膜，在n型 與p型氧化鋅薄膜上沉積具有不同功函數的金屬電極，觀察氧化鋅薄膜與金屬接觸 ...
王智祥博士研究生：陳柏亦中華民國九十七年 - 中原大學 上以不添加任何催化劑的方式，磊晶準直的氧化鋅奈米針（ZnO nanoneedle）。 ...... 效場，且氧化鋅功函數5.2~5.3 eV 大於其他場發射元件(ex：GaAs、carbon) ，.
Controlling the work function of ZnO and the energy-level alignment ... 22 Apr 2013 ... We show that the work function ($\Phi${}) of ZnO can be increased by up to 2.8 eV by depositing the molecular electron acceptor 2,3,5 ...
Controlling the work function of ZnO and the energy-level alignment ... 22 Apr 2013 ... We show that the work function ( ) of ZnO can be increased by up to 2.8 eV ... model that identifies the bulk doping and band bending in ZnO as ...
國立雲林科技大學電子與光電工程研究所碩士班微 Hence, the study investigated the work function of GTCO to promote the great performance on both conduction and transparency. ZnO material was used for the ...
透明導電薄膜的功函數調變對光電特性之影響__臺灣博碩士論文知識 ... 1-3-2表面改質、汙染與功函數文獻回顧6 1-3-3薄膜晶面影響功函數文獻回顧8 1-4 研究動機與目的10 1-5 論文架構13 第二章基本理論14 2-1 氧化鋅透明導電膜的 ...
