第四章 太陽電池技術專利拆解 第一節 太陽電池的技術分類
薄膜製程技術關卡突破 Oxide TFT穩居基板技術主流 - 學技術 - 新電子科技雜誌 如同a-Si TFT的BCE結構，除可縮減光罩數之外，並對縮小元件設計準則(Design Rule)有相當大的幫助，因此製作BCE結構的Oxide TFT已成為面板廠積極尋求解決之瓶頸。索尼同時也發表9.9吋qFHD軟性主動式有機發光顯示器，其採用CHP元件結構的InGaZnO TFT與 ...
2012平面顯示器最新技術發展趨勢與市場觀察 - DigiTimes電子時報 2011年12月22日 ... 友達光電智權長／副總經理暨台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會(TTLA)主任 ... International 2011)中，為與會人士揭櫫最新平面顯示器發展趨勢。
材料世界網:IGZO材料、元件特性及其基本原理(一) 2013年6月19日 ... 因應這個演進，氧化物半導體(Oxide Semiconductor；OS)成為這類材料的稱呼，以 突顯其半導體特性， ...
從IGZO液晶面板新技術開發評論日本產官學合作機制 - 工業技術研究院 細野氏在5年的研究期間，對具有光學機能與電子機能的金屬氧化物完成獨創性的 基礎研究，其成果孕育成開拓材料應用 .... 夏普早在2002年即投入氧化物半導體 IGZO的研究，歷經10年終於在實用化開花結果。
薄膜製程技術關卡突破Oxide TFT穩居基板技術主流- 學技術- 新電子 ... Oxide TFT將成為下世代顯示面板的基板技術首選。台日韓面板廠在Oxide TFT技術 的研發腳步愈來愈快，不僅已突破材料與薄膜製程等技術瓶頸，更成功展示Oxide ...
電晶體驅動能力優異 Oxide TFT實現超高畫素面板 - 學技術 - 新電子科技雜誌 電 晶體驅動能力係超高解析度螢幕發展的重要關鍵。 氧化物薄膜電 晶體( Oxide TFT ...
All about Display Industry - Displaybank Oxide TFT的結構與特性 氧化物（ Oxide）半導體物質中ZnO, GZO, ZnMgO, IGZO(InGaZnO), AlZnSnO, HfInZnO 等是主要研究對象。 ...
2012平面顯示器最新技術發展趨勢與市場觀察 - DigiTimes電子時報 2012平面顯示器最新技術發展趨勢與市場觀察 - DigiTimes電子時報
材料世界網:IGZO材料、元件特性及其基本原理(一) Film Transistor； TFT)等。因應這個演進， 氧化物半導體( Oxide Semiconductor；OS) ... 合作 開發、整合了獨特 ...
