半導體製程及原理 半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...
奈米結構原子級薄膜製程技術—原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD) 系統研發成功 儀科中心約三十年前即投入真空技術研究發展，由真空元件製造著手，將技術移轉予業界生產銷售，並首先將真空極限推至 10 −10 Torr 超高真空領域，成為國內真空技術的研究重鎮。目前研究重點為太空級規格光學薄膜元件與奈米薄膜材料之製程與設備 ...
享曆 --技術支援 --應用資訊--專有名詞解釋--電子專有名詞 常見電子專有名詞 電子專有名詞解釋 電子專有名詞字典 ... English 中文翻譯 英文縮寫 A 回到最上方 Active region 作用區 (集極特性曲線) 在集極特性曲線的中央水平部分，此時電晶體的射極接面為順向偏壓，而集極接面為逆向偏壓，集極電流 與基極電流 成 ...
www.innovator.com.tw 表面工程以技術原理區分可分類如下： 1. 機械方法 研磨, 拋光,布磨 噴砂-砂粒噴砂 壓接 機械式鍍鋅 珠擊 ... 直流電濺鍍－應用於導電基材與鍍層 b) 交流（或射頻）電濺鍍－應用於導電或非導電基材與鍍層 3) 濺鍍系統組合
MOSFET - 中華百科 - MOSFET介紹 MOSFET的操作 原理 MOSFET 的核心：金屬—氧化層—半導體電容 金屬—氧化層—半導體結構 MOSFET ...
奈米通訊。第六卷第四期30.銅製程之擴散阻障層 - 國家奈米元件實驗室 銅製程之擴散阻障層. 吳文發1、黃麒峰2. 1國家奈米元件實驗室副研究員、2清華大學 材料研究所碩士班研究生. 前言. 積體電路的製作技術已邁入ULSI ...
電漿處理的鉭擴散阻障層在銅製程的應用 - 國家奈米元件實驗室 本研究主要探討氮氣電漿處理的鉭( Ta ). 擴散阻障層薄膜在銅製程上的熱穩定性，其 . 中分別以片電阻的變化、 X光的繞射分析、. 穿透式電子顯微鏡的觀察以及n+- p接 ...
材料世界網:銅製程之擴散阻障層材料的發展與挑戰 本文介紹積體電路(Integrated Circuits)的發展歷程中，擴散阻障層材料的選擇與運用 有哪些相對應的演變與研究。曾廣泛應用於鋁製程的擴散阻障層材料氮化鈦(TiN)， ...
diffusion barrier - 擴散阻礙層；擴散阻障層 - 學術名詞暨辭書資訊網 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 材料科學名詞-金屬材料, 擴散阻礙層； 擴散阻障層, diffusion barrier. 學術名詞 材料科學名詞-金屬材料, 擴散阻礙層；擴散 ...
原子層化學氣相沉積(Atomic layer chemical vapor deposition, ALCVD) 目前絕大多數的業者是選用鉭(Ta)或是鉭的氮化物，即氮化鉭(TaNx)來作為阻障層 材料。其本身除了具備低電阻率的特性外，Ta對於Cu的附著性佳，而TaNx又與一般 ...
