中原大學應用物理研究所碩士學位論文感應耦合式電漿蝕刻技術對氮 ... 利用感應耦合式電漿技術對氮化鎵磊晶層進行蝕刻。改變不. 同氣體的混合比例、 感應耦合式電漿功率和射頻功率等研究其對.
感應耦合電漿離子蝕刻技術(I) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術(II) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ...
感應耦合電漿離子矽蝕刻系統(ICP System) 建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈 為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF ...
www.innovator.com.tw 表面工程以技術原理區分可分類如下： 1. 機械方法 研磨, 拋光,布磨 噴砂-砂粒噴砂 壓接 機械式鍍鋅 珠擊 ... 直流電濺鍍－應用於導電基材與鍍層 b) 交流（或射頻）電濺鍍－應用於導電或非導電基材與鍍層 3) 濺鍍系統組合
感應耦合電漿質譜分析儀 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA-MASS SPECTROMETER, ICP-MS - 貴重儀器中心 請填寫網站簡述 ... 感應耦合電漿質譜分析儀 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA-MASS SPECTROMETER 儀器中文名稱：感應耦合電漿質譜分析儀
主要設備 - 銳捷科技股份有限公司 黃光微影設備 步進式曝光機（Stepper） ‧最小解析度 0.7 um ‧對位精度 1 um 光罩對位曝光機（Aligner）
奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) - 微奈米科技研究中心 - 國立成功 ... Editor. Date. SOP. EIS-700 ICP 奈米深蝕刻系統SOP. 1. 沈欣燕2013/11/18. Inductive Coupled Plasma Etching System. 奈米深蝕刻系統. (感應耦合離子電漿) ...
感應耦合電漿離子矽蝕刻系統開放對外技術服務 - 國研院儀科中心 2007年7月5日 ... 本中心近年來極力發展類LIGA 製程技術，感應耦合電漿離子蝕刻系統的購置與建立 ，可對矽進行高的深寬比結構加工，並已初步完成軟硬體功能測試 ...
半導體III-V 族- Plasma-Therm - 反應式離子蝕刻RIE / 感應耦合電漿 ... 等離子蝕刻或乾式蝕刻是基於等離子體的流程，有助於從基質表面去除某種材料。 通常情況下，半導體材料的等離子加工，是在真空環境下完成的。乾式蝕刻的關鍵是 在 ...
