感應耦合式電漿蝕刻系統 - 國研院奈米元件實驗室 感應耦合式 電漿蝕刻系統 (Inductive Couple Plasma Etcher, ICP Etcher) 儀器簡介 感應耦合式 電漿蝕刻 ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術 (II) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (II) 感應耦合電漿離子 蝕刻技術 (II) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (II) 簡介 感應耦合電漿離子 ...
感應耦合電漿原子發射光譜儀（ICP-OES）購置規格 一、名稱： 感應耦合電漿 原子發射光譜儀壹套 二、用途：測定土壤與植物體樣品等無機元素分析 三、規格明細 ... 光儀，具有恆溫溫控系統。 ...
感應耦合式電漿蝕刻系統 - 國研院奈米元件實驗室 感應耦合式 電漿蝕刻系統 (Inductive Couple Plasma Etcher, ICP Etcher) 注意事項 1. 執行 HAR 相關程式時，每次 Loop 數层不超過 ...
National Tsing Hua University Institutional Repository: 感應耦合電漿蝕刻製作微結構的技術與應用 Title: 感應耦合電漿蝕刻製作微結構的技術與應用 Other Titles: Micro structure fabrication using Inductively Coupled ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術(I) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術(II) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ...
感應耦合電漿離子矽蝕刻系統(ICP System) 建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈 為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF ...
感應耦合式電漿蝕刻系統 感應耦合式電漿蝕刻系統是採用射頻電源注入設計在腔體周圍的電極線圈，藉由電感 耦. 合增加電子的運動距離而在高真空環境下激發出高密度電漿。此機台為乾式深 ...
感應耦合式電漿蝕刻系統 感應耦合式電漿蝕刻系統. (Inductive Couple Plasma Etcher, ICP Etcher). 標準製程 (Standard Recipes). • HAR (High Aspect Ratio) recipe: Etch Rate. ~3um/min.
