22-4 場效電晶體 場效電晶體(field effect transistor,FET)的構想較雙極性電晶體(BJT)更早被提出來。1920年,李連菲德設計了一個如右圖所示結構的裝置。圖中半導體(Cu2S)與其左右兩旁的金屬電極A及B,形成一個電阻器,當半導體上方的鋁電極C與電極A或B之間有電壓存在時,將 ...
Pspice 教學 - 國立台北大學 - 資訊工程學系 Lab12. 場效電晶體之特性 電子電路實驗 * 一、實驗目的 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。 二、原理說明 場效電晶體(FET)分為兩大類,即接面場效電晶體(JFET)及金氧半場效電晶體(MOSFET),其成員可利用下面樹狀結構 ...