半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
跳脫製程技術極限思維 3D IC再續摩爾定律 - 趨勢眺望 - 新通訊元件雜誌 圖2是賓州大學教授謝源(Xie Yuan)所提出的半導體發展微笑曲線。可以看到系統單晶片之前，都是透過離散元件將射頻(RF)、混合訊號(Mixed Signal)、Ceramic/Glass等元件以一到數個IC整合在一起，直到系統單晶片出現，似乎有了一統江湖的味道。
在室溫發現矽鍺奈米線具有無損耗、波動型的熱傳導現象:: 台灣物理 ... 在我們的實驗中[5]，我們自製了奈米量測裝置( 如圖一)去測量由李嗣涔教授所生長的 矽鍺奈米線的熱傳導係數與其長度的關係，並透過與朱明文副研究員和劉思謙博士 ...
突破10奈米製程物理極限電晶體結構/材料加速變革- 懂市場- 新電子 ... 為滿足行動裝置輕薄、低功耗設計需求，晶片商和晶圓代工廠均致力推動半導體製程 微縮，並研發新的電晶體通道材料，其中，尤以FinFET電晶體立體排列結構，以及 ...
突破10奈米製程物理極限 電晶體結構/材料加速變革 - 懂市場 - 新電子科技雜誌 電晶體設計即將面臨全面性的轉變。為滿足行動裝置輕薄、低功耗設計需求，晶片商和晶圓代工廠均致力推動半導體製程微縮，並研發新的電晶體通道材料，其中，尤以FinFET電晶體立體排列結構，以及鍺、三五族等新材料技術
半導體業難以跨越的坎14nm制程 市場抉擇極限？ | SEMI TAIWAN 半導體業難以跨越的坎14nm制程 市場抉擇 極限？新聞來源: OF week (2013.03.21) 依照摩爾定律，全球 半導體的工 ...
Broadcom：5nm就是半導體極限 - 電腦資訊轉貼 - 電腦領域 HKEPC Hardware - 全港 No.1 PC討論區 - Powered by Discuz! 電腦領域 HKEPC Hardware » 電腦資訊轉貼 » Broadcom：5nm就是半導體極限 返回列表 發帖 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - ASML壓寶極紫外光成為下世代微影技術主流 2010年將步入正式量產期 ... 儘管如此，浸潤式微影技術還是有其 物理極限，因此微影設備供應商皆紛紛投資研發次世代微影技術。 ... 但 物理上 ...
晶圓目前最大十二吋 那晶圓尺寸再增加下去會遇到什麼問題啊 - Yahoo!奇摩知識+ 晶圓為了降低成本不斷增加 可是總會遇到什麼 物理上的 極限吧 或是有其他的問題 ... 儘管針對下一代450mm晶圓廠 ...
半導體製程最小線寬之突破的技術瓶頸為何???? - Yahoo!奇摩知識+ 半導體製程最小線寬之突破的技術瓶頸為何???可以給我一個詳細的解答嗎??? 會員登入 新使用者？立即註冊 服務首 ...
