半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 高介電係數介電層與金屬閘極的製程選擇：閘極先製還是閘極後製 ... 10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。
互補式金屬氧化物半導體- 维基百科，自由的百科全书 互補式金屬氧化物半導體（簡稱互補式金氧半；英语：Complementary ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate electrode）是由一層金屬覆蓋在一層絕緣體材料（ ...
金屬氧化半導體Metal Oxide Semiconductor。MOS。 - 解釋頁 由金屬層，氧化層，及半導體層三層厚度不等的材質依順序堆疊所產生。MOS是利用在半導體的電場感應以 ...
高等化學- 半導體製程技術(II) 擴散(diffusion)、離子植入及薄膜沉積等技術，所. 須製程多達二百至三百個步驟. □ 隨著電子資訊產品朝輕薄短小化的方向 ...
半導體製程技術概論 半導體製程技術概論, Introduction to Semiconductor. Manufacturing .... 其結構就 如同字面上的意義，是由金屬、氧化層、及半導體疊在一起所構成的。 2. 傳導方式: ...
鋰 - 維基百科，自由的百科全書 鋰（Lithium）是一種化學元素，其化學符號Li，原子序數為3，三個電子中兩個分布在K層，另一個在L層。鋰是鹼金屬中最輕的一種。鋰常呈+1或0氧化態，是否有-1氧化態則尚未得到證實[1]。但是鋰和它的化合物並不像其他的鹼金屬那麼典型，因為鋰的電荷 ...
Ch13 Process Integration - 臺灣大學計算機及資訊網路中心C&INC, NTU 3 5 淺溝槽絕緣(STI) LOCOS 和PBL 運作地很好當圖形尺寸> 0.5 µm 時 當圖形尺寸< 0.35 µm為不能容忍的 矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物 侵入 STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展 出來 6 STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽
Ch5 Oxidation Diffusion - 臺灣大學計算機及資訊網路中心C&INC, NTU 5 9 Si 摻雜 SiO2 SiO2 矽 場區氧化層 場區氧化(field oxide;絕緣) 氧化物蝕刻 元件區 濕氧化(厚): 場氧化層、阻擋層 擴散阻擋層、離子植入屏蔽氧化層…等 10 Special Topic: Isolation Techniques Goal: Wafer Device 1 Device 1 Electrical Insulation
奈米通訊。第六卷第三期19.薄閘極氧化層之金屬雜質影響與 ... 本文針對目前半導體製程中對閘極氧化層最有負面影響之五種金屬作了有系統之分析。吾人發現鐵及鎳此二種金屬對閘極氧化層影響最大，鈣、銅、及鋅則較不明顯。
Semiconductor Fabrication Technology - College of Engineering Oxidation Thermal growth of natural dielectric layer (e.g. Si O2) ... Semiconductor devices and circuits are formed in thin slices of a material (called a wafer) that ...
