另一方面,近年來,通態電阻低並且散熱性好的碳化矽零組件,發展迅速。碳化矽的寬能帶隙為矽的2.8倍,達到3.09電子伏特。其絕緣強度為矽的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導熱率是矽的3.3倍,為49w/cm.k,因此其被視為下一世代半導體功率元件的主要材料。
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